，存储芯片厂商美光科技(MU.US)2024财年第三季度总营收68.11亿美元，同比增长81.5%，略好于市场预期;同期实现净利润3.32亿美元。在近期业绩会上，公司预计Q4毛利率增加6pcts，主要受定价环境和产品组合推动，比如HBM和高容量DIMM。预计FY25价格会继续上行，产品组合会继续发挥积极影响，尤其是数据中心板块的增长，今年年末将会出现手机和PC的换机周期，然后是AI终端推动内容量提升，这个进程会从CY24H2持续到25年早期。
展望24年，CY24DRAM、NAND位元需求增长10%，中长期DRAM增速mid-10%，NAND增速high10%。供给方面，预计CY24按行业供给低于需求，HBM产能增长将积压非HBM产品攻击增长，HBM3E的晶圆消耗量是DDR5的3倍(同一节点、同一容量条件下);HBM4该比例将更高，美光FY24位元供给增长将低于需求增速;公司预计FY24晶圆产能将比FY22的峰值下降10%，公司将利用现有库存推动FY25的部分位元增长。
公司表示，HBM CAGR未来几年将大于50%;随着公司未来增加HBM组合，HBM对公司业绩、利润率将有积极影响。公司目前2025年的产能已经售罄，且定价已经锁定，这对于公司实现既定目标有利，公司预期25年某个时刻能够达到DRAM份额。公司正在与更广泛的客群接触，明年计划向更多客户发货，但同时，由于HBM的复杂度，资格认证也会更复杂，但公司在客户那边实现了与竞争对手相比低30%的功耗表现，这体现出公司的基数优势。
Q&A
Q：公司HBM3E进度?是否有望获得新的客户或在英伟达获得更多产品定点?竞争对手提到缩短HBM开发周期，公司有什么看法?
A：公司本季度获得1亿美元以上HBM收入，FY24预计获得数亿美元收入，FY25获得数十亿美元收入。公司目前的重心在于提高产量和良率，目标在25年某个时候达到与DRAM接近的市场份额;客户普遍认为公司HBM3E的功耗比竞争对手低30%，公司正在和其他客户做资格认证，目标在25年扩大客群，HBM4和HBM4E方面，公司对路线图和领导力充满信心。
Q：公司NAND位元需求增速指引较上季度下修，原因是什么?
A：主要是基准年的变化，这次的基准年是2023年，2023年NAND的位元出货量基数较高。数据中心SSD会是一个很好的需求驱动力，数据中心、汽车、工业的CAGR会大于平均CAGR，PC、手机、消费电子较慢，但仍有增长，AIPC和AI手机将会是驱动力。公司强调CAGR是因为这是扩产规划的重要指标，公司会保持审慎原则，并高度关注供需平衡和投资回报率。
Q：HBM3E3倍消耗量到25年依然成立吗?12层会有什么影响?
A：对于HBM3E，3倍是一个有效的指标，这取决于HBM3E的封装、更大的芯片，3倍即使在成熟的良率水平也依旧成立，良率提升主要带来的是成本下行。HBM4同理，在成熟良率下，这个指标会大于HBM3E的3倍;12层HBM3E则与8层一样是3倍。
Q：FY25毛利率的影响因素?
A：公司不会提供FY25的具体指引。
公司预计Q4毛利率增加6pcts，主要受定价环境和产品组合推动，比如HBM和高容量DIMM。公司预计FY25价格会继续上行，产品组合会继续发挥积极影响，尤其是数据中心板块的增长，今年年末将会出现手机和PC的换机周期，然后是AI终端推动内容量提升，这个进程会从CY24H2持续到25年早期。供给方面，现在市场产能结构性处于低位，库存呈下降趋势，库存会持续减少至FY25，HBM也会消耗更多晶圆，产品组合上也有顺风。
Q：公司目前的HBM产能情况?公司对下半年和25年的盈利表现有何看法，尤其是大部分HBM订单价格锁定的可见度?
A：HBM这个季度收入1亿美元，全年数亿美元，FY25数十亿美元，FY25某个时候份额将达到DRAM水平，这些假设都是基于现有HBM产能，公司会继续努力提高产能。盈利方面，DRAM利润率高于公司利润率，NAND利润率是拖累公司整体表现的逆风。
Q：FY25Capex的预计数额?如何考虑FY25或CY25的位元供给增速?
A：公司不会对FY25的收入或资本支出做出具体指引，但公司预期会同比增长。公司预计FQ4Capex从FQ3的21亿美元增至30亿美元，之后几个季度环比增幅会收窄，但支出水平会增加。库存方面，预计FY25年底达到目标库存水平。
Q：HBM份额目标取决于哪些因素?公司如何制定目标的?
A：HBMCAGR未来几年将大于50%;随着公司未来增加HBM组合，HBM对公司业绩、利润率将有积极影响。公司目前2025年的产能已经售罄，且定价已经锁定，这对于公司实现既定目标有利，公司预期25年某个时刻能够达到DRAM份额。公司正在与更广泛的客群接触，明年计划向更多客户发货，但同时，由于HBM的复杂度，资格认证也会更复杂，但公司在客户那边实现了与竞争对手相比低30%的功耗表现，这体现出公司的基数优势。
Q：公司明年大部分资本支出将用于绿地和HBM，剩余部分在DRAM和NAND如何分配?公司对NAND资本密集度的展望
A：公司Capex以DRAM为主，尤其是HBM，HBM对洁净室的要求、对封装、测试设备的要求，体现出其资本密集型的特点，因此公司支出以此为主。NAND支出只占总支出的一部分，公司在NAND方面有技术优势和产品组合优势，公司在CAPEX上会保持自律性。放缓节点转变是有积极意义的，这样可以更好地管理位元增速并获得价格收益。
综上，NAND资本支出明显较小，公司保持自律性，根据需求管理供给增量，NAND的技术转型已经可以满足需求，这意味着不需要新的洁净室、绿地项目，这与DRAM和HBM有所不同。
Q：考虑到定价顺风，为什么还要签订HBM长协?
A：长协有助于维护客户关系，这不仅关于供给和定价，还包括技术路线图、产品路线图和交付时间，25年公司将获得可观收入，这都与现有合同有关，此外，公司盈利能力也会受益于这些长协合同。
Q：台湾地震对下季度有影响吗?
A：没有。
Q：服务器SSD现在占公司NAND占比约20%-25%，这对毛利率有什么影响?公司是否会将第五代SSD用于AI场景?
A：数据中心SSD将推动NAND整体的利润表现，公司232层NANDAISSD出货量增长三倍，完全面向AI数据中心场景，公司拥有广泛的客户群，并致力于与客户合作以进一步扩大份额，公司数据中心ssd收入环比增长50%。
第五代SSD还不会披露具体细节，但从增长的可持续性看，公司会依靠强大的产品组合，推动数据中心SSD的增长。
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